FDS6575 vs IRF7351TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना FDS6575 द्वारा onsemi और IRF7351TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | FDS6575 | IRF7351TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | onsemi | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -20 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -10 A | 8 A |
| On-Resistance (RDS(on)) | 13 mOhm max at VGS = -4.5 V | — |
| Gate Drive Voltage Range | 2.5 V to 8 V | — |
| गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage range] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | 24 nC |
| Technology | PowerTrench (rugged gate) | IR MOSFET (HEXFET trench) |
| पैकेज | SOIC-8 (SO-8) | 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Power Dissipation | [DATA_NEEDED: power dissipation at TA] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Configuration | Single MOSFET | Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge) |
| Gate Source Voltage (VGS) Range | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (PBF suffix = lead-free) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRF7351TRPBF |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 17.8 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) | — | 0.0137 ohm (13.7 mOhm) |
| Power Dissipation (PD) | — | 2 W |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55C to +150C (junction) |
| Typical Application | — | Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters |
| Lead-Free | — | Yes |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] |