IAUCN08S7L018ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IAUCN08S7L018ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUCN10S5L280DATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IAUCN08S7L018ATMA1 IAUCN08S7L018ATMA1 - 80V 1.8mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L018ATMA1 - 80V 1.8mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L018ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IAUCN08S7L018ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 OptiMOS 5
Technology N-Channel Trench MOSFET OptiMOS 5 Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 210 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc [DATA_NEEDED: ID at Tc] —
Maximum RDS(on) at VGS=10 V 1.8 mΩ —
Power Dissipation (PD) at Tc=25 °C 169 W —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 °C to +175 °C -55C to +175C (junction)
প্যাকেজ PG-TDSON-8-43 (5x6 mm) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive (per Infineon part description) —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL level] 1
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
পিন সংখ্যা — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট