IAUCN08S7L018ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUCN08S7L018ATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN10S5L280DATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUCN08S7L018ATMA1 | IAUCN10S5L280DATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | OptiMOS 5 |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | OptiMOS 5 Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 210 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | [DATA_NEEDED: ID at Tc] | — |
| Maximum RDS(on) at VGS=10 V | 1.8 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25 °C | 169 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C (junction) |
| पैकेज | PG-TDSON-8-43 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-61 (SSO8) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive (per Infineon part description) | — |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Configuration | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | — | 23 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 38 W |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101, IAU prefix) |
| पिन काउंट | — | 8 |
| Packing | — | Tape & Reel (T&R) |