IAUCN08S7L018ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUCN08S7L018ATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN10S5L280DATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUCN08S7L018ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 OptiMOS 5
Technology N-Channel Trench MOSFET OptiMOS 5 Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 210 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc [DATA_NEEDED: ID at Tc] —
Maximum RDS(on) at VGS=10 V 1.8 mΩ —
Power Dissipation (PD) at Tc=25 °C 169 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C -55C to +175C (junction)
Paket PG-TDSON-8-43 (5x6 mm) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive (per Infineon part description) —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] 1
RoHS Durumu Compliant Compliant
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Pin Sayısı — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin