IAUCN08S7L018ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN08S7L018ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN10S5L280DATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUCN08S7L018ATMA1 | IAUCN10S5L280DATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | OptiMOS 5 |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | OptiMOS 5 Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 210 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | [DATA_NEEDED: ID at Tc] | — |
| Maximum RDS(on) at VGS=10 V | 1.8 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25 °C | 169 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C (junction) |
| پیکیج | PG-TDSON-8-43 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-61 (SSO8) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive (per Infineon part description) | — |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Configuration | — | Dual N-Channel MOSFET Array |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | — | 23 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 38 W |
| Automotive Qualified | — | Yes (AEC-Q101, IAU prefix) |
| پن کی تعداد | — | 8 |
| Packing | — | Tape & Reel (T&R) |