IAUCN08S7L018ATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IAUCN08S7L018ATMA1 bằng Infineon và IAUCN10S5L280DATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IAUCN08S7L018ATMA1 IAUCN08S7L018ATMA1 - 80V 1.8mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L018ATMA1 - 80V 1.8mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUCN08S7L018ATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IAUCN08S7L018ATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 OptiMOS 5
Technology N-Channel Trench MOSFET OptiMOS 5 Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tj 210 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc [DATA_NEEDED: ID at Tc] —
Maximum RDS(on) at VGS=10 V 1.8 mΩ —
Power Dissipation (PD) at Tc=25 °C 169 W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 °C to +175 °C -55C to +175C (junction)
Hộp PG-TDSON-8-43 (5x6 mm) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Qualification Automotive (per Infineon part description) —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Số chân — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá