IPD034N06N3GATMA1 vs IRL40S212ARMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD034N06N3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IRL40S212ARMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IRL40S212ARMA1 IRL40S212ARMA1 - 40V 195A 1.9mOhm StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRL40S212ARMA1 - 40V 195A 1.9mOhm StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRL40S212ARMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPD034N06N3GATMA1 IRL40S212ARMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
Technology N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3) StrongIRFET™ (planar N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 167 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 4 V at 93 uA —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: max VGS rating] [DATA_NEEDED: VGS max]
প্যাকেজ PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO263-3 (D2PAK)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Pin Configuration 3-Pin (2 + Tab) —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর [DATA_NEEDED: Tj min/max] [DATA_NEEDED: Tj max]
RoHS স্ট্যাটাস Compliant (Pb-free green finish) Compliant
Automotive Qualified Yes (per Infineon product page) —
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
Part Family — StrongIRFET™
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 195 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) — 1.9 mOhm max
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Power Dissipation (PD, Tc) — 231 W
Lead-Free — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট