IPD034N06N3GATMA1 vs IRL40S212ARMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD034N06N3GATMA1 tarafından Infineon ve IRL40S212ARMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD034N06N3GATMA1 | IRL40S212ARMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3) | StrongIRFET™ (planar N-channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 167 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 3.4 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 4 V at 93 uA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: max VGS rating] | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Paket | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Configuration | 3-Pin (2 + Tab) | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | [DATA_NEEDED: Tj max] |
| RoHS Durumu | Compliant (Pb-free green finish) | Compliant |
| Automotive Qualified | Yes (per Infineon product page) | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (unlimited) |
| Part Family | — | StrongIRFET™ |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 195 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 1.9 mOhm max |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 231 W |
| Lead-Free | — | Yes |