IPD034N06N3GATMA1 vs IRL40S212ARMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPD034N06N3GATMA1 bằng Infineon và IRL40S212ARMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IRL40S212ARMA1 IRL40S212ARMA1 - 40V 195A 1.9mOhm StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRL40S212ARMA1 - 40V 195A 1.9mOhm StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRL40S212ARMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPD034N06N3GATMA1 IRL40S212ARMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
Technology N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3) StrongIRFET™ (planar N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 167 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 4 V at 93 uA —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: max VGS rating] [DATA_NEEDED: VGS max]
Hộp PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO263-3 (D2PAK)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Pin Configuration 3-Pin (2 + Tab) —
Khoảng nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: Tj min/max] [DATA_NEEDED: Tj max]
Trạng thái RoHS Compliant (Pb-free green finish) Compliant
Automotive Qualified Yes (per Infineon product page) —
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
Part Family — StrongIRFET™
Kiểu transitor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 195 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) — 1.9 mOhm max
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Power Dissipation (PD, Tc) — 231 W
Lead-Free — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá