IPD034N06N3GATMA1 vs IRL40S212ARMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD034N06N3GATMA1 द्वारा Infineon और IRL40S212ARMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD034N06N3GATMA1 | IRL40S212ARMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3) | StrongIRFET™ (planar N-channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 167 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 3.4 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 4 V at 93 uA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: max VGS rating] | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| पैकेज | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Configuration | 3-Pin (2 + Tab) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | [DATA_NEEDED: Tj max] |
| RoHS स्थिति | Compliant (Pb-free green finish) | Compliant |
| Automotive Qualified | Yes (per Infineon product page) | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (unlimited) |
| Part Family | — | StrongIRFET™ |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 195 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 1.9 mOhm max |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 231 W |
| Lead-Free | — | Yes |