IPD034N06N3GATMA1 vs IRL40S212ARMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPD034N06N3GATMA1 توسط Infineon و IRL40S212ARMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPD034N06N3GATMA1 IRL40S212ARMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
Technology N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3) StrongIRFET™ (planar N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 167 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 4 V at 93 uA —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: max VGS rating] [DATA_NEEDED: VGS max]
بسته‌بندی PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO263-3 (D2PAK)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Pin Configuration 3-Pin (2 + Tab) —
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: Tj min/max] [DATA_NEEDED: Tj max]
وضعیت RoHS Compliant (Pb-free green finish) Compliant
Automotive Qualified Yes (per Infineon product page) —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
Part Family — StrongIRFET™
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 195 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on)) — 1.9 mOhm max
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Power Dissipation (PD, Tc) — 231 W
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت