K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BCTD তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G085WB-BICH নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A8G085WB-BCTD নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCTD ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A8G085WB-BICH | K4A8G085WB-BCTD |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ইউনিট মূল্য (USD) | — | $8.53 |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| সংগঠন | 1G x 8 | 1G x 8 |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2V | 1.2 V |
| ডেটা রেট | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2666 Mbps |
| প্যাকেজ | 78-ball FBGA | FBGA-78 (78-ball TFBGA) |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0°C to 85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Max Supply Current | 170mA | — |
| Burst Length | BL8, BL16 | BL8 |
| CAS লেটেন্সি | Programmable | — |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Data Bus Inversion | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Die Revision | B-die | B-die |
| মাউন্টিং টাইপ | — | Surface Mount |
| Bank Structure | — | 16 banks, 4 bank groups |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT), dynamic ODT |
| বৈশিষ্ট্য | — | ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset |
| Speed Bin | — | -BCTD (CL-tRCD-tRP bin) |
| Terminations | — | 78 |
| JEDEC-30 Package Code | — | R-PBGA-B78 |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |