K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BCTD Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4A8G085WB-BICH sa pamamagitan ng Samsung Electronics at K4A8G085WB-BCTD sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung
K4A8G085WB-BCTD ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4A8G085WB-BICH | K4A8G085WB-BCTD |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | — | $8.53 |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| Organisasyon | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Volte ng Pagbibigay | 1.2V | 1.2 V |
| Rate ng Data | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2666 Mbps |
| Packhaging | 78-ball FBGA | FBGA-78 (78-ball TFBGA) |
| Temperature na Operasyon | 0°C to 85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Max Supply Current | 170mA | — |
| Burst Length | BL8, BL16 | BL8 |
| Latensya ng CAS | Programmable | — |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Data Bus Inversion | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Die Revision | B-die | B-die |
| Uri ng Pagpapasok | — | Surface Mount |
| Bank Structure | — | 16 banks, 4 bank groups |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT), dynamic ODT |
| Mga Karakteristika | — | ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset |
| Speed Bin | — | -BCTD (CL-tRCD-tRP bin) |
| Terminations | — | 78 |
| JEDEC-30 Package Code | — | R-PBGA-B78 |
| Tindminan RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |