K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BCTD مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G085WB-BICH توسط Samsung Electronics و K4A8G085WB-BCTD توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G085WB-BICH | K4A8G085WB-BCTD |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | — | $8.53 |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| سازمان | 1G x 8 | 1G x 8 |
| ولتاژ تغذیه | 1.2V | 1.2 V |
| نرخ داده | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2666 Mbps |
| بسته‌بندی | 78-ball FBGA | FBGA-78 (78-ball TFBGA) |
| دمای کاری | 0°C to 85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Max Supply Current | 170mA | — |
| Burst Length | BL8, BL16 | BL8 |
| تأخیر CAS | Programmable | — |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Data Bus Inversion | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Die Revision | B-die | B-die |
| نوع نصب | — | Surface Mount |
| Bank Structure | — | 16 banks, 4 bank groups |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT), dynamic ODT |
| ویژگی‌ها | — | ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset |
| Speed Bin | — | -BCTD (CL-tRCD-tRP bin) |
| Terminations | — | 78 |
| JEDEC-30 Package Code | — | R-PBGA-B78 |
| وضعیت RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |