K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BCTD השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G085WB-BICH מאת Samsung Electronics ו K4A8G085WB-BCTD מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G085WB-BICH | K4A8G085WB-BCTD |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $8.53 |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| ארגון | 1G x 8 | 1G x 8 |
| מתח אספקה | 1.2V | 1.2 V |
| קצב נתונים | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2666 Mbps |
| מארז | 78-ball FBGA | FBGA-78 (78-ball TFBGA) |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to 85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Max Supply Current | 170mA | — |
| Burst Length | BL8, BL16 | BL8 |
| השהיית CAS | Programmable | — |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Data Bus Inversion | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Die Revision | B-die | B-die |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| Bank Structure | — | 16 banks, 4 bank groups |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT), dynamic ODT |
| תכונות | — | ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset |
| Speed Bin | — | -BCTD (CL-tRCD-tRP bin) |
| Terminations | — | 78 |
| JEDEC-30 Package Code | — | R-PBGA-B78 |
| סטטוס RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |