K4A8G085WB-BICH vs K4A8G085WB-BCTD موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WB-BICH بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WB-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCTD K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCTD ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BCTD
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) — $8.53
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8Gb 8 Gb
تنظیم 1G x 8 1G x 8
سپلائی وولٹیج 1.2V 1.2 V
ڈیٹا ریٹ 2400 Mbps (DDR4-2400) 2666 Mbps
پیکیج 78-ball FBGA FBGA-78 (78-ball TFBGA)
آپریٹنگ درجہ حرارت 0°C to 85°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Max Supply Current 170mA —
Burst Length BL8, BL16 BL8
CAS لیٹنسی Programmable —
On-Die ECC Yes —
Data Bus Inversion Yes —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Die Revision B-die B-die
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount
Bank Structure — 16 banks, 4 bank groups
Termination — On-Die Termination (ODT), dynamic ODT
خصوصیات — ZQ calibration, CRC, CA parity, asynchronous reset
Speed Bin — -BCTD (CL-tRCD-tRP bin)
Terminations — 78
JEDEC-30 Package Code — R-PBGA-B78
RoHS اسٹیٹس — [DATA_NEEDED: RoHS status]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں