K4A8G085WC vs K4A8G085WC-BCTD তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G085WC নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A8G085WC-BCTD নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K4A8G085WC K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics

K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics

K4A8G085WC ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD ⚠ শেষ কিনার সময়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K4A8G085WC K4A8G085WC-BCTD
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Samsung Electronics
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় শেষবার কেনার সুযোগ
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
সংগঠন 1G x 8 1G x 8
Speed 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) —
সাপ্লাই ভোল্টেজ 1.2 V —
Supply Voltage Range 1.14 V to 1.26 V —
Clock Frequency 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data) —
Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) -40 C to +95 C —
Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) 0 C to +95 C —
প্যাকেজ 78-ball FBGA (78FBGA) 78-ball FBGA (78FBGA)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
CRC Function Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
Data Mask (DM) Yes —
RoHS স্ট্যাটাস [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
ডেটা রেট — 2666 Mbps (PC4-2133)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Ball Pitch — 0.8 mm
অপারেটিং তাপমাত্রা — 0C to +95C
Standard Operating Temp Range — 0C to +85C
Burst Length — 8 (chop 4)
Dynamic ODT — Yes
Data Mask — Yes
ইন্টারফেস টাইপ — Synchronous, parallel

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট