K4A8G085WC vs K4A8G085WC-BCTD तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G085WC द्वारा Samsung Electronics और K4A8G085WC-BCTD द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics
K4A8G085WC ✓ सक्रियSamsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ अंतिम खरीदविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G085WC | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | अंतिम बार खरीदें |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| संगठन | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Speed | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | — |
| Supply Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Clock Frequency | 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data) | — |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) | -40 C to +95 C | — |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) | 0 C to +95 C | — |
| पैकेज | 78-ball FBGA (78FBGA) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| डेटा दर | — | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0C to +95C |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 (chop 4) |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| इंटरफ़ेस प्रकार | — | Synchronous, parallel |