K4A8G085WC vs K4A8G085WC-BCTD مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G085WC توسط Samsung Electronics و K4A8G085WC-BCTD توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics
K4A8G085WC ✓ فعالSamsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ آخرین فرصت خریدمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G085WC | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | آخرین فرصت خرید |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| سازمان | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Speed | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | — |
| Supply Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Clock Frequency | 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data) | — |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) | -40 C to +95 C | — |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) | 0 C to +95 C | — |
| بسته‌بندی | 78-ball FBGA (78FBGA) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| نرخ داده | — | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| دمای کاری | — | 0C to +95C |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 (chop 4) |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| نوع رابط | — | Synchronous, parallel |