K4A8G085WC vs K4A8G085WC-BCTD So sánh

So sánh chi tiết song song của K4A8G085WC bằng Samsung Electronics và K4A8G085WC-BCTD bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4A8G085WC K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics

K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics

K4A8G085WC ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD ⚠ Lần mua cuối

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4A8G085WC K4A8G085WC-BCTD
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Lần mua cuối
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Tổ chức 1G x 8 1G x 8
Speed 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) —
Điện áp cung cấp 1.2 V —
Supply Voltage Range 1.14 V to 1.26 V —
Clock Frequency 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data) —
Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) -40 C to +95 C —
Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) 0 C to +95 C —
Hộp 78-ball FBGA (78FBGA) 78-ball FBGA (78FBGA)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
CRC Function Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Tốc độ dữ liệu — 2666 Mbps (PC4-2133)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Ball Pitch — 0.8 mm
Nhiệt độ hoạt động — 0C to +95C
Standard Operating Temp Range — 0C to +85C
Burst Length — 8 (chop 4)
Dynamic ODT — Yes
Data Mask — Yes
Loại giao diện — Synchronous, parallel

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá