K4A8G085WC vs K4A8G085WC-BCTD موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WC بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G085WC-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G085WC K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics

K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics

K4A8G085WC ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD ⚠ آخری بار خریداری

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G085WC K4A8G085WC-BCTD
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال آخری بار خریداری
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
تنظیم 1G x 8 1G x 8
Speed 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) —
سپلائی وولٹیج 1.2 V —
Supply Voltage Range 1.14 V to 1.26 V —
Clock Frequency 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data) —
Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) -40 C to +95 C —
Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) 0 C to +95 C —
پیکیج 78-ball FBGA (78FBGA) 78-ball FBGA (78FBGA)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
CRC Function Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
Data Mask (DM) Yes —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
ڈیٹا ریٹ — 2666 Mbps (PC4-2133)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Ball Pitch — 0.8 mm
آپریٹنگ درجہ حرارت — 0C to +95C
Standard Operating Temp Range — 0C to +85C
Burst Length — 8 (chop 4)
Dynamic ODT — Yes
Data Mask — Yes
انٹرفیس ٹائپ — Synchronous, parallel

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں