K4A8G085WC vs K4A8G085WC-BCTD השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G085WC מאת Samsung Electronics ו K4A8G085WC-BCTD מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics
K4A8G085WC ✓ פעילSamsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ רכישה אחרונההשוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G085WC | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | רכישה אחרונה |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| ארגון | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Speed | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) | — |
| מתח אספקה | 1.2 V | — |
| Supply Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Clock Frequency | 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data) | — |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) | -40 C to +95 C | — |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) | 0 C to +95 C | — |
| מארז | 78-ball FBGA (78FBGA) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| קצב נתונים | — | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| טמפרטורת פעולה | — | 0C to +95C |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 (chop 4) |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| סוג ממשק | — | Synchronous, parallel |