K4A8G165WB-BCTD vs H5AN8G6NDJR তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G165WB-BCTD নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও H5AN8G6NDJR নির্দিষ্ট SK hynix. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A8G165WB-BCTD | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | SK hynix |
| ক্যাটাগরি | DRAM | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| সংগঠন | 512M x 16 | 512M x 16 |
| ডেটা রেট | 2666 Mbps | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0C to +85C | — |
| প্যাকেজ | 96FBGA | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Die Generation | B-die | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount (BGA) | — |
| ইন্টারফেস | DDR4 (parallel, double data rate) | — |
| Data Mask | Supported (DM per x16 lane) | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Dynamic On-Die Termination | Supported | — |
| CAS লেটেন্সি | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) | — |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |
| বৈশিষ্ট্য | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |