K4A8G165WB-BCTD vs H5AN8G6NDJR مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G165WB-BCTD بواسطة Samsung Electronics و H5AN8G6NDJR بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G165WB-BCTD | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | SK hynix |
| الفئة | DRAM | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| التنظيم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| معدل البيانات | 2666 Mbps | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | — |
| العلبة | 96FBGA | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Die Generation | B-die | — |
| نوع التركيب | Surface Mount (BGA) | — |
| الواجهة | DDR4 (parallel, double data rate) | — |
| Data Mask | Supported (DM per x16 lane) | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Dynamic On-Die Termination | Supported | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] | — |
| حالة RoHS | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) | — |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |
| الميزات | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |