K4A8G165WB-BCTD vs H5AN8G6NDJR موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WB-BCTD بذریعہ Samsung Electronics اور H5AN8G6NDJR بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G165WB-BCTD | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | SK hynix |
| زمرہ | DRAM | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| تنظیم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | 2666 Mbps | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +85C | — |
| پیکیج | 96FBGA | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Die Generation | B-die | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount (BGA) | — |
| انٹرفیس | DDR4 (parallel, double data rate) | — |
| Data Mask | Supported (DM per x16 lane) | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Dynamic On-Die Termination | Supported | — |
| CAS لیٹنسی | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) | — |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |
| خصوصیات | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |