K4A8G165WB-BCTD vs H5AN8G6NDJR مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G165WB-BCTD توسط Samsung Electronics و H5AN8G6NDJR توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G165WB-BCTD | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | SK hynix |
| دسته‌بندی | DRAM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| سازمان | 512M x 16 | 512M x 16 |
| نرخ داده | 2666 Mbps | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| دمای کاری | 0C to +85C | — |
| بسته‌بندی | 96FBGA | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Die Generation | B-die | — |
| نوع نصب | Surface Mount (BGA) | — |
| رابط | DDR4 (parallel, double data rate) | — |
| Data Mask | Supported (DM per x16 lane) | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Dynamic On-Die Termination | Supported | — |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] | — |
| وضعیت RoHS | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) | — |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |
| ویژگی‌ها | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |