K4A8G165WB-BCTD vs H5AN8G6NDJR तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G165WB-BCTD द्वारा Samsung Electronics और H5AN8G6NDJR द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BCTD ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G165WB-BCTD | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | SK hynix |
| श्रेणी | DRAM | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| संगठन | 512M x 16 | 512M x 16 |
| डेटा दर | 2666 Mbps | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C | — |
| पैकेज | 96FBGA | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Die Generation | B-die | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (BGA) | — |
| इंटरफ़ेस | DDR4 (parallel, double data rate) | — |
| Data Mask | Supported (DM per x16 lane) | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Dynamic On-Die Termination | Supported | — |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (per JLCPCB listing: ROHS) | — |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |
| विशेषताएँ | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |