K4A8G165WB-BCWE vs NT5AD512M16A4-GZ তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G165WB-BCWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও NT5AD512M16A4-GZ নির্দিষ্ট Nanya Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A8G165WB-BCWE | NT5AD512M16A4-GZ |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Nanya Technology |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| স্টক স্ট্যাটাস | In Stock | — |
| ইউনিট মূল্য (USD) | $6.25 | — |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| ডেটা রেট | 3200 Mbps/pin | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2 V | 1.2V |
| Access Time | 19 ns | — |
| ইন্টারফেস | Parallel | — |
| প্যাকেজ | 96FBGA | TFBGA-96 |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0C to +85C | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | — |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM B-die | — |
| Prefetch | 8n | — |
| Refresh | Self-refresh supported | — |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | — |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| সংগঠন | — | 512M x 16 |
| Density | — | 8Gb |
| সর্বোচ্চ ক্লক ফ্রিকোয়েন্সি | — | 1200 MHz |
| ডেটা বাস প্রস্থ | — | 16 bits |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Interleaved Burst Length | — | 4, 8 |
| Access Mode | — | Four Bank Page Burst |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | Commercial and Industrial |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling Function | — | Yes |
| ZQ Calibration Function | — | Yes |