K4A8G165WB-BCWE vs NT5AD512M16A4-GZ השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G165WB-BCWE מאת Samsung Electronics ו NT5AD512M16A4-GZ מאת Nanya Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G165WB-BCWE | NT5AD512M16A4-GZ |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Nanya Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סטטוס מלאי | In Stock | — |
| מחיר ליחידה (USD) | $6.25 | — |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| קצב נתונים | 3200 Mbps/pin | — |
| מתח אספקה | 1.2 V | 1.2V |
| Access Time | 19 ns | — |
| ממשק | Parallel | — |
| מארז | 96FBGA | TFBGA-96 |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +85C | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM B-die | — |
| Prefetch | 8n | — |
| Refresh | Self-refresh supported | — |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| ארגון | — | 512M x 16 |
| Density | — | 8Gb |
| תדר שעון מקסימלי | — | 1200 MHz |
| רוחב אפיק נתונים | — | 16 bits |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Interleaved Burst Length | — | 4, 8 |
| Access Mode | — | Four Bank Page Burst |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | Commercial and Industrial |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling Function | — | Yes |
| ZQ Calibration Function | — | Yes |