K4A8G165WB-BCWE vs NT5AD512M16A4-GZ مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G165WB-BCWE بواسطة Samsung Electronics و NT5AD512M16A4-GZ بواسطة Nanya Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G165WB-BCWE | NT5AD512M16A4-GZ |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Nanya Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | In Stock | — |
| سعر الوحدة (USD) | $6.25 | — |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| معدل البيانات | 3200 Mbps/pin | — |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2V |
| Access Time | 19 ns | — |
| الواجهة | Parallel | — |
| العلبة | 96FBGA | TFBGA-96 |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM B-die | — |
| Prefetch | 8n | — |
| Refresh | Self-refresh supported | — |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| التنظيم | — | 512M x 16 |
| Density | — | 8Gb |
| أقصى تردد للساعة | — | 1200 MHz |
| عرض ناقل البيانات | — | 16 bits |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Interleaved Burst Length | — | 4, 8 |
| Access Mode | — | Four Bank Page Burst |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | Commercial and Industrial |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling Function | — | Yes |
| ZQ Calibration Function | — | Yes |