K4A8G165WB-BCWE vs NT5AD512M16A4-GZ तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G165WB-BCWE द्वारा Samsung Electronics और NT5AD512M16A4-GZ द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G165WB-BCWE | NT5AD512M16A4-GZ |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Nanya Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | In Stock | — |
| यूनिट मूल्य (USD) | $6.25 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| डेटा दर | 3200 Mbps/pin | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | 1.2V |
| Access Time | 19 ns | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| पैकेज | 96FBGA | TFBGA-96 |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM B-die | — |
| Prefetch | 8n | — |
| Refresh | Self-refresh supported | — |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| संगठन | — | 512M x 16 |
| Density | — | 8Gb |
| अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी | — | 1200 MHz |
| डेटा बस चौड़ाई | — | 16 bits |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Interleaved Burst Length | — | 4, 8 |
| Access Mode | — | Four Bank Page Burst |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | Commercial and Industrial |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling Function | — | Yes |
| ZQ Calibration Function | — | Yes |