K4A8G165WB-BCWE vs NT5AD512M16A4-GZ موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WB-BCWE بذریعہ Samsung Electronics اور NT5AD512M16A4-GZ بذریعہ Nanya Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G165WB-BCWE | NT5AD512M16A4-GZ |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Nanya Technology |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| اسٹاک کی حالت | In Stock | — |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $6.25 | — |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| میموری سائز | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 Mbps/pin | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | 1.2V |
| Access Time | 19 ns | — |
| انٹرفیس | Parallel | — |
| پیکیج | 96FBGA | TFBGA-96 |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +85C | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| Technology | DDR4 SDRAM B-die | — |
| Prefetch | 8n | — |
| Refresh | Self-refresh supported | — |
| Termination | On-die termination (ODT) | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| تنظیم | — | 512M x 16 |
| Density | — | 8Gb |
| زیادہ سے زیادہ کلاک فریکوئنسی | — | 1200 MHz |
| ڈیٹا بس چوڑائی | — | 16 bits |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Interleaved Burst Length | — | 4, 8 |
| Access Mode | — | Four Bank Page Burst |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | Commercial and Industrial |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling Function | — | Yes |
| ZQ Calibration Function | — | Yes |