K4A8G165WC-BCRC vs H5AN8G8NCJR-PBC তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G165WC-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electro-Mechanics ও H5AN8G8NCJR-PBC নির্দিষ্ট SK hynix. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A8G165WC-BCRC | H5AN8G8NCJR-PBC |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electro-Mechanics | SK hynix |
| ক্যাটাগরি | EEPROM | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| স্টক স্ট্যাটাস | In Stock | — |
| ইউনিট মূল্য (USD) | $19.69 | — |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 8 Gbit | 8 Gb (1 GB) |
| সংগঠন | 512M x 16 | 1G x 8 (x8) |
| ডেটা রেট | 2400 Mbps | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] |
| Clock Frequency | 1333 MHz | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| ইন্টারফেস | Parallel, 16-bit DDR | — |
| Standby Current (Idle) | 2 mA | — |
| Operating Current | 64 mA | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0 C to +95 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| প্যাকেজ | 96-FBGA (TFBGA) | 78-ball FBGA |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| বৈশিষ্ট্য | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh |
| Die Generation | C-die | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Lead-Free & Halogen-Free |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Interface Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V (SSTL12) |
| Architecture | — | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked |
| Bank Structure | — | 8 internal banks, bank-group architecture |
| Burst Length | — | BL8 |
| Die Revision Family | — | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Typical Applications | — | PC/server main memory, embedded solder-down memory |