K4A8G165WC-BCRC vs H5AN8G8NCJR-PBC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WC-BCRC بذریعہ Samsung Electro-Mechanics اور H5AN8G8NCJR-PBC بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ فعال
SK hynix
H5AN8G8NCJR-PBC H5AN8G8NCJR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM, 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM, 1.2V | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-PBC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G165WC-BCRC H5AN8G8NCJR-PBC
برانڈ Samsung Electro-Mechanics SK hynix
زمرہ EEPROM Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت In Stock —
فی یونٹ قیمت (USD) $19.69 —
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
میموری سائز 8 Gbit 8 Gb (1 GB)
تنظیم 512M x 16 1G x 8 (x8)
ڈیٹا ریٹ 2400 Mbps [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)]
Clock Frequency 1333 MHz —
سپلائی وولٹیج 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) —
انٹرفیس Parallel, 16-bit DDR —
Standby Current (Idle) 2 mA —
Operating Current 64 mA —
آپریٹنگ درجہ حرارت 0 C to +95 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
پیکیج 96-FBGA (TFBGA) 78-ball FBGA
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
خصوصیات Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh
Die Generation C-die —
Memory Format DRAM —
RoHS اسٹیٹس Compliant Lead-Free & Halogen-Free
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Interface Voltage (VDDQ) — 1.2 V (SSTL12)
Architecture — CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked
Bank Structure — 8 internal banks, bank-group architecture
Burst Length — BL8
Die Revision Family — CJR (H5AN8G8NCJR-xxC)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
Typical Applications — PC/server main memory, embedded solder-down memory

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں