K4A8G165WC-BCRC vs H5AN8G8NCJR-PBC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G165WC-BCRC توسط Samsung Electro-Mechanics و H5AN8G8NCJR-PBC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G165WC-BCRC | H5AN8G8NCJR-PBC |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electro-Mechanics | SK hynix |
| دسته‌بندی | EEPROM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| وضعیت موجودی | In Stock | — |
| قیمت واحد (USD) | $19.69 | — |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gbit | 8 Gb (1 GB) |
| سازمان | 512M x 16 | 1G x 8 (x8) |
| نرخ داده | 2400 Mbps | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] |
| Clock Frequency | 1333 MHz | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| رابط | Parallel, 16-bit DDR | — |
| Standby Current (Idle) | 2 mA | — |
| Operating Current | 64 mA | — |
| دمای کاری | 0 C to +95 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| بسته‌بندی | 96-FBGA (TFBGA) | 78-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| ویژگی‌ها | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh |
| Die Generation | C-die | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Lead-Free & Halogen-Free |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Interface Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V (SSTL12) |
| Architecture | — | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked |
| Bank Structure | — | 8 internal banks, bank-group architecture |
| Burst Length | — | BL8 |
| Die Revision Family | — | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Typical Applications | — | PC/server main memory, embedded solder-down memory |