K4A8G165WC-BCRC vs H5AN8G8NCJR-PBC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G165WC-BCRC מאת Samsung Electro-Mechanics ו H5AN8G8NCJR-PBC מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G165WC-BCRC | H5AN8G8NCJR-PBC |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electro-Mechanics | SK hynix |
| קטגוריה | EEPROM | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סטטוס מלאי | In Stock | — |
| מחיר ליחידה (USD) | $19.69 | — |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 8 Gbit | 8 Gb (1 GB) |
| ארגון | 512M x 16 | 1G x 8 (x8) |
| קצב נתונים | 2400 Mbps | [DATA_NEEDED: data rate for -PBC speed grade (Mbps/MT/s)] |
| Clock Frequency | 1333 MHz | — |
| מתח אספקה | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| ממשק | Parallel, 16-bit DDR | — |
| Standby Current (Idle) | 2 mA | — |
| Operating Current | 64 mA | — |
| טמפרטורת פעולה | 0 C to +95 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| מארז | 96-FBGA (TFBGA) | 78-ball FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| תכונות | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | ODT, DM, DQS strobes, programmable CAS latency, self-refresh |
| Die Generation | C-die | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Lead-Free & Halogen-Free |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Interface Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V (SSTL12) |
| Architecture | — | CMOS, fully synchronous, dual-edge clocked |
| Bank Structure | — | 8 internal banks, bank-group architecture |
| Burst Length | — | BL8 |
| Die Revision Family | — | CJR (H5AN8G8NCJR-xxC) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Typical Applications | — | PC/server main memory, embedded solder-down memory |