M29F800FB55N3E2 vs M29W800FB70N3E তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা M29F800FB55N3E2 নির্দিষ্ট Micron Technology ও M29W800FB70N3E নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Micron Technology
M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron
M29F800FB55N3E2 ✓ সক্রিয়Micron Technology
M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron
M29W800FB70N3E ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | M29F800FB55N3E2 | M29W800FB70N3E |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Micron Technology | Micron Technology |
| ক্যাটাগরি | EEPROM | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি সাইজ | 8 Mbit (1 M x 8 / 512 K x 16) | — |
| মেমরি টাইপ | NOR Flash, SLC, Parallel | NOR Flash |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| Supply Voltage Min | 4.5 V | — |
| Supply Voltage Max | 5.5 V | — |
| ইন্টারফেস | Parallel | Parallel |
| সংগঠন | Bottom boot (B suffix) | 512K x 16 / 1M x 8 |
| ডেটা বাস প্রস্থ | 8-bit or 16-bit (BYTE# selectable) | x8/x16 (BYTE# selectable) |
| প্যাকেজ | 48-pin TSOP Type I (N suffix) | 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount (SMD/SMT) | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | Up to +125 C (Auto Grade 3 suffix) | -40C to +125C |
| Packing | Tray (blank suffix) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (E suffix) | RoHS compliant (plastic TSOP-48) |
| Programming Operations | READ, ERASE, PROGRAM via command set | — |
| Write Protection | Block protection with lockable boot block | — |
| Status Output | RB# (Ready/Busy) | — |
| Density | — | 8 Mbit (8388608 bits) |
| Supply Voltage (VCC) | — | up to 3.6 V for program, erase and read |
| Programming Time | — | 10 us per byte/word (typical) |
| Memory Blocks | — | 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) |
| পিন সংখ্যা | — | 48 |
| Product Longevity Program | — | No |
| FBGA Code | — | N/A |
| Chipset Validation | — | N/A |