M29F800FB55N3E2 vs M29W800FB70N3E Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F800FB55N3E2 tarafından Micron Technology ve M29W800FB70N3E tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | M29F800FB55N3E2 | M29W800FB70N3E |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategori | EEPROM | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Boyutu | 8 Mbit (1 M x 8 / 512 K x 16) | — |
| Bellek Türü | NOR Flash, SLC, Parallel | NOR Flash |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| Supply Voltage Min | 4.5 V | — |
| Supply Voltage Max | 5.5 V | — |
| Arayüz | Parallel | Parallel |
| Organizasyon | Bottom boot (B suffix) | 512K x 16 / 1M x 8 |
| Veri Bus Genişliği | 8-bit or 16-bit (BYTE# selectable) | x8/x16 (BYTE# selectable) |
| Paket | 48-pin TSOP Type I (N suffix) | 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I |
| Montaj Türü | Surface Mount (SMD/SMT) | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | Up to +125 C (Auto Grade 3 suffix) | -40C to +125C |
| Packing | Tray (blank suffix) | — |
| RoHS Durumu | Compliant (E suffix) | RoHS compliant (plastic TSOP-48) |
| Programming Operations | READ, ERASE, PROGRAM via command set | — |
| Write Protection | Block protection with lockable boot block | — |
| Status Output | RB# (Ready/Busy) | — |
| Density | — | 8 Mbit (8388608 bits) |
| Supply Voltage (VCC) | — | up to 3.6 V for program, erase and read |
| Programming Time | — | 10 us per byte/word (typical) |
| Memory Blocks | — | 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) |
| Pin Sayısı | — | 48 |
| Product Longevity Program | — | No |
| FBGA Code | — | N/A |
| Chipset Validation | — | N/A |