M29F800FB55N3E2 vs M29W800FB70N3E तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29F800FB55N3E2 द्वारा Micron Technology और M29W800FB70N3E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron
M29W800FB70N3E ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | M29F800FB55N3E2 | M29W800FB70N3E |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | EEPROM | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी आकार | 8 Mbit (1 M x 8 / 512 K x 16) | — |
| मेमोरी प्रकार | NOR Flash, SLC, Parallel | NOR Flash |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| Supply Voltage Min | 4.5 V | — |
| Supply Voltage Max | 5.5 V | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel |
| संगठन | Bottom boot (B suffix) | 512K x 16 / 1M x 8 |
| डेटा बस चौड़ाई | 8-bit or 16-bit (BYTE# selectable) | x8/x16 (BYTE# selectable) |
| पैकेज | 48-pin TSOP Type I (N suffix) | 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (SMD/SMT) | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | Up to +125 C (Auto Grade 3 suffix) | -40C to +125C |
| Packing | Tray (blank suffix) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (E suffix) | RoHS compliant (plastic TSOP-48) |
| Programming Operations | READ, ERASE, PROGRAM via command set | — |
| Write Protection | Block protection with lockable boot block | — |
| Status Output | RB# (Ready/Busy) | — |
| Density | — | 8 Mbit (8388608 bits) |
| Supply Voltage (VCC) | — | up to 3.6 V for program, erase and read |
| Programming Time | — | 10 us per byte/word (typical) |
| Memory Blocks | — | 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) |
| पिन काउंट | — | 48 |
| Product Longevity Program | — | No |
| FBGA Code | — | N/A |
| Chipset Validation | — | N/A |