MRF6S19140HSR5 vs MRF6S19140HR5 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MRF6S19140HSR5 নির্দিষ্ট NXP Semiconductors ও MRF6S19140HR5 নির্দিষ্ট NXP Semiconductors. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

NXP Semiconductors
MRF6S19140HSR5 MRF6S19140HSR5 - 29W RF Power LDMOS Transistor 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19140HSR5 - 29W RF Power LDMOS Transistor 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19140HSR5 ✓ সক্রিয়
NXP Semiconductors
MRF6S19140HR5 MRF6S19140HR5 - 29W RF Power LDMOS, 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19140HR5 - 29W RF Power LDMOS, 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19140HR5 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার MRF6S19140HSR5 MRF6S19140HR5
ব্র্যান্ড NXP Semiconductors NXP Semiconductors
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer NXP Semiconductors NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Original Manufacturer Freescale Semiconductor —
Part Status Active —
ট্রানজিস্টর টাইপ RF Power LDMOS (N-Channel) N-Channel RF Power LDMOS
Drain-Source Voltage (Vdss) 68 V 68 V (max)
Operating Drain Voltage (typical) 28 V 28 V
Drain Current (Id) 1.15 A —
Frequency Range 1.93 GHz to 1.99 GHz —
Output Power (Pout) 29 W 29 W (CW or pulsed)
Power Gain (Gps) 16 dB —
Test Condition Two-tone W-CDMA, 1.96 GHz —
প্যাকেজ / কেস NI-880S NI-880H-2L ceramic flange
মাউন্টিং টাইপ Chassis Mount / Screw Clamp Chassis / flange mount (bolt-down)
অপারেটিং তাপমাত্রা -40 C to +150 C (junction) —
RoHS স্ট্যাটাস [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
ESD Protection Yes (integrated) —
Technology HV6 LDMOS (later branded NXP HV6) —
Pulsed Drain Current (Id) — 1.15 A
Operating Frequency — 1.93 GHz to 1.99 GHz
Small-Signal Gain — 16 dB (typical)
Process Technology — HV6 LDMOS
Lead-Free — [DATA_NEEDED: lead-free status]
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — [DATA_NEEDED: operating temp range]
Channel-to-Flange Thermal Resistance — 0.45 C/W (estimated, datasheet figure)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট