MRF6S19140HSR5 vs MRF6S19140HR5 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار MRF6S19140HSR5 توسط NXP Semiconductors و MRF6S19140HR5 توسط NXP Semiconductors. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

NXP Semiconductors
MRF6S19140HSR5 MRF6S19140HSR5 - 29W RF Power LDMOS Transistor 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19140HSR5 - 29W RF Power LDMOS Transistor 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19140HSR5 ✓ فعال
NXP Semiconductors
MRF6S19140HR5 MRF6S19140HR5 - 29W RF Power LDMOS, 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19140HR5 - 29W RF Power LDMOS, 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19140HR5 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر MRF6S19140HSR5 MRF6S19140HR5
برند NXP Semiconductors NXP Semiconductors
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer NXP Semiconductors NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Original Manufacturer Freescale Semiconductor —
Part Status Active —
نوع ترانزیستور RF Power LDMOS (N-Channel) N-Channel RF Power LDMOS
Drain-Source Voltage (Vdss) 68 V 68 V (max)
Operating Drain Voltage (typical) 28 V 28 V
Drain Current (Id) 1.15 A —
Frequency Range 1.93 GHz to 1.99 GHz —
Output Power (Pout) 29 W 29 W (CW or pulsed)
Power Gain (Gps) 16 dB —
Test Condition Two-tone W-CDMA, 1.96 GHz —
بسته‌بندی / کیس NI-880S NI-880H-2L ceramic flange
نوع نصب Chassis Mount / Screw Clamp Chassis / flange mount (bolt-down)
دمای کاری -40 C to +150 C (junction) —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
ESD Protection Yes (integrated) —
Technology HV6 LDMOS (later branded NXP HV6) —
Pulsed Drain Current (Id) — 1.15 A
Operating Frequency — 1.93 GHz to 1.99 GHz
Small-Signal Gain — 16 dB (typical)
Process Technology — HV6 LDMOS
Lead-Free — [DATA_NEEDED: lead-free status]
محدوده دمای کاری — [DATA_NEEDED: operating temp range]
Channel-to-Flange Thermal Resistance — 0.45 C/W (estimated, datasheet figure)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت