MRF6S19140HSR5 vs MRF6S19140HR5 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MRF6S19140HSR5 द्वारा NXP Semiconductors और MRF6S19140HR5 द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
NXP Semiconductors
MRF6S19140HSR5 - 29W RF Power LDMOS Transistor 1.93-1.99GHz | NXP
MRF6S19140HSR5 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | MRF6S19140HSR5 | MRF6S19140HR5 |
|---|---|---|
| ब्रांड | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors (formerly Freescale) |
| Original Manufacturer | Freescale Semiconductor | — |
| Part Status | Active | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | RF Power LDMOS (N-Channel) | N-Channel RF Power LDMOS |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 68 V | 68 V (max) |
| Operating Drain Voltage (typical) | 28 V | 28 V |
| Drain Current (Id) | 1.15 A | — |
| Frequency Range | 1.93 GHz to 1.99 GHz | — |
| Output Power (Pout) | 29 W | 29 W (CW or pulsed) |
| Power Gain (Gps) | 16 dB | — |
| Test Condition | Two-tone W-CDMA, 1.96 GHz | — |
| पैकेज / केस | NI-880S | NI-880H-2L ceramic flange |
| माउंटिंग प्रकार | Chassis Mount / Screw Clamp | Chassis / flange mount (bolt-down) |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40 C to +150 C (junction) | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| ESD Protection | Yes (integrated) | — |
| Technology | HV6 LDMOS (later branded NXP HV6) | — |
| Pulsed Drain Current (Id) | — | 1.15 A |
| Operating Frequency | — | 1.93 GHz to 1.99 GHz |
| Small-Signal Gain | — | 16 dB (typical) |
| Process Technology | — | HV6 LDMOS |
| Lead-Free | — | [DATA_NEEDED: lead-free status] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | [DATA_NEEDED: operating temp range] |
| Channel-to-Flange Thermal Resistance | — | 0.45 C/W (estimated, datasheet figure) |