MRF6S19140HSR5 vs MRF6S19140HR5 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MRF6S19140HSR5 بذریعہ NXP Semiconductors اور MRF6S19140HR5 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

NXP Semiconductors
MRF6S19140HSR5 MRF6S19140HSR5 - 29W RF Power LDMOS Transistor 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19140HSR5 - 29W RF Power LDMOS Transistor 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19140HSR5 ✓ فعال
NXP Semiconductors
MRF6S19140HR5 MRF6S19140HR5 - 29W RF Power LDMOS, 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19140HR5 - 29W RF Power LDMOS, 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19140HR5 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر MRF6S19140HSR5 MRF6S19140HR5
برانڈ NXP Semiconductors NXP Semiconductors
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer NXP Semiconductors NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Original Manufacturer Freescale Semiconductor —
Part Status Active —
ٹرانزسٹر کی قسم RF Power LDMOS (N-Channel) N-Channel RF Power LDMOS
Drain-Source Voltage (Vdss) 68 V 68 V (max)
Operating Drain Voltage (typical) 28 V 28 V
Drain Current (Id) 1.15 A —
Frequency Range 1.93 GHz to 1.99 GHz —
Output Power (Pout) 29 W 29 W (CW or pulsed)
Power Gain (Gps) 16 dB —
Test Condition Two-tone W-CDMA, 1.96 GHz —
پیکیج / کیس NI-880S NI-880H-2L ceramic flange
ماؤنٹنگ ٹائپ Chassis Mount / Screw Clamp Chassis / flange mount (bolt-down)
آپریٹنگ درجہ حرارت -40 C to +150 C (junction) —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
ESD Protection Yes (integrated) —
Technology HV6 LDMOS (later branded NXP HV6) —
Pulsed Drain Current (Id) — 1.15 A
Operating Frequency — 1.93 GHz to 1.99 GHz
Small-Signal Gain — 16 dB (typical)
Process Technology — HV6 LDMOS
Lead-Free — [DATA_NEEDED: lead-free status]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — [DATA_NEEDED: operating temp range]
Channel-to-Flange Thermal Resistance — 0.45 C/W (estimated, datasheet figure)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں