MT40A512M16AD-062E vs K4A8G165WG-BCWE তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT40A512M16AD-062E নির্দিষ্ট Micron Technology ও K4A8G165WG-BCWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Micron Technology
MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron
MT40A512M16AD-062E ✓ সক্রিয়Samsung Electronics
K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WG-BCWE ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MT40A512M16AD-062E | K4A8G165WG-BCWE |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Micron Technology | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ইউনিট মূল্য (USD) | — | $35.98 |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (Volatile DRAM) |
| মেমরি সাইজ | 8 Gbit | 8 Gbit |
| সংগঠন | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Access Time (Row Cycle) | 19 ns | — |
| ইন্টারফেস | Parallel (POD) | Parallel |
| প্যাকেজ | 96-FBGA (7.5 mm x 13.5 mm) | FBGA-96 (BGA-96), surface mount |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AUT:E (automotive variant) | — |
| Speed Grade | -062E | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)] | 1.2 V |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C (commercial) |
| Prefetch Architecture | 8n with bank groups | — |
| HS Code (USHTS) | 8542320071 | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: reel quantity] | — |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Max Data Rate | — | 3200 Mbps/pin |
| Clock Cycle Time | — | 19 ns |
| Refresh | — | Auto/self refresh per DDR4 standard |
| Manufacturer | — | Samsung Semiconductor, Inc. |
| Product Status | — | Active |
| Typical Standby Current | — | 20 mA (per LCSC listing) |
| Die Generation | — | Samsung B-die, 8Gb DDR4 x16 |