MT40A512M16AD-062E vs K4A8G165WG-BCWE مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار MT40A512M16AD-062E توسط Micron Technology و K4A8G165WG-BCWE توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Micron Technology
MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron
MT40A512M16AD-062E ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | MT40A512M16AD-062E | K4A8G165WG-BCWE |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | — | $35.98 |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (Volatile DRAM) |
| اندازه حافظه | 8 Gbit | 8 Gbit |
| سازمان | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Access Time (Row Cycle) | 19 ns | — |
| رابط | Parallel (POD) | Parallel |
| بسته‌بندی | 96-FBGA (7.5 mm x 13.5 mm) | FBGA-96 (BGA-96), surface mount |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AUT:E (automotive variant) | — |
| Speed Grade | -062E | — |
| ولتاژ تغذیه | [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)] | 1.2 V |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C (commercial) |
| Prefetch Architecture | 8n with bank groups | — |
| HS Code (USHTS) | 8542320071 | — |
| وضعیت RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: reel quantity] | — |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Max Data Rate | — | 3200 Mbps/pin |
| Clock Cycle Time | — | 19 ns |
| Refresh | — | Auto/self refresh per DDR4 standard |
| Manufacturer | — | Samsung Semiconductor, Inc. |
| Product Status | — | Active |
| Typical Standby Current | — | 20 mA (per LCSC listing) |
| Die Generation | — | Samsung B-die, 8Gb DDR4 x16 |