MT40A512M16AD-062E vs K4A8G165WG-BCWE موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT40A512M16AD-062E بذریعہ Micron Technology اور K4A8G165WG-BCWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Micron Technology
MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron
MT40A512M16AD-062E ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MT40A512M16AD-062E | K4A8G165WG-BCWE |
|---|---|---|
| برانڈ | Micron Technology | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $35.98 |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (Volatile DRAM) |
| میموری سائز | 8 Gbit | 8 Gbit |
| تنظیم | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Access Time (Row Cycle) | 19 ns | — |
| انٹرفیس | Parallel (POD) | Parallel |
| پیکیج | 96-FBGA (7.5 mm x 13.5 mm) | FBGA-96 (BGA-96), surface mount |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AUT:E (automotive variant) | — |
| Speed Grade | -062E | — |
| سپلائی وولٹیج | [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)] | 1.2 V |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C (commercial) |
| Prefetch Architecture | 8n with bank groups | — |
| HS Code (USHTS) | 8542320071 | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: reel quantity] | — |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Max Data Rate | — | 3200 Mbps/pin |
| Clock Cycle Time | — | 19 ns |
| Refresh | — | Auto/self refresh per DDR4 standard |
| Manufacturer | — | Samsung Semiconductor, Inc. |
| Product Status | — | Active |
| Typical Standby Current | — | 20 mA (per LCSC listing) |
| Die Generation | — | Samsung B-die, 8Gb DDR4 x16 |