NT5AD512M16C4-JRU vs MT40A512M8SA-062E তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা NT5AD512M16C4-JRU নির্দিষ্ট Nanya Technology ও MT40A512M8SA-062E নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU ✓ সক্রিয়
Micron Technology
MT40A512M8SA-062E MT40A512M8SA-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x8, 3200 | Micron

MT40A512M8SA-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x8, 3200 | Micron

MT40A512M8SA-062E ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার NT5AD512M16C4-JRU MT40A512M8SA-062E
ব্র্যান্ড Nanya Technology Micron Technology
ক্যাটাগরি DRAM DRAM
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
ইউনিট মূল্য (USD) $83.00 —
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
সংগঠন 512M x 16 512M x 8
Clock Frequency 1600 MHz (3200 Mbps data rate) 1.6 GHz
CAS Latency (CL) 22 at 1600 MHz —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
প্যাকেজ 96-ball FBGA (PBGA96) 78-FBGA (7.5 x 11 mm), Z10B
অপারেটিং তাপমাত্রা -40 C to +95 C (industrial grade) —
ইন্টারফেস CMOS, DDR4 Parallel, 1.2 V pseudo open-drain I/O
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
RoHS স্ট্যাটাস Green Product (per Nanya product page) —
মেমরি সাইজ — 4 Gbit
ডেটা রেট — 3200 MT/s (DDR4-3200 class)
Access Time — 13.75 ns
Write Cycle Time — 15 ns
VDD / VDDQ — 1.2 V +/-60 mV
VPP Supply — 2.5 V (-125 mV / +250 mV)
VREFDQ — On-die internal adjustable generation
Operating Temperature (TC max) — up to 95 degrees C
Package Flow — :F (lead-free / RoHS)
মাউন্টিং স্টাইল — SMD/SMT

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট