NT5AD512M16C4-JRU vs MT40A512M8SA-062E השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של NT5AD512M16C4-JRU מאת Nanya Technology ו MT40A512M8SA-062E מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya
NT5AD512M16C4-JRU ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | NT5AD512M16C4-JRU | MT40A512M8SA-062E |
|---|---|---|
| מותג | Nanya Technology | Micron Technology |
| קטגוריה | DRAM | DRAM |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | $83.00 | — |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | — |
| ארגון | 512M x 16 | 512M x 8 |
| Clock Frequency | 1600 MHz (3200 Mbps data rate) | 1.6 GHz |
| CAS Latency (CL) | 22 at 1600 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| מארז | 96-ball FBGA (PBGA96) | 78-FBGA (7.5 x 11 mm), Z10B |
| טמפרטורת פעולה | -40 C to +95 C (industrial grade) | — |
| ממשק | CMOS, DDR4 | Parallel, 1.2 V pseudo open-drain I/O |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | Green Product (per Nanya product page) | — |
| גודל זיכרון | — | 4 Gbit |
| קצב נתונים | — | 3200 MT/s (DDR4-3200 class) |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Write Cycle Time | — | 15 ns |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP Supply | — | 2.5 V (-125 mV / +250 mV) |
| VREFDQ | — | On-die internal adjustable generation |
| Operating Temperature (TC max) | — | up to 95 degrees C |
| Package Flow | — | :F (lead-free / RoHS) |
| סגנון הרכבה | — | SMD/SMT |