NT5AD512M16C4-JRU vs MT40A512M8SA-062E So sánh

So sánh chi tiết song song của NT5AD512M16C4-JRU bằng Nanya Technology và MT40A512M8SA-062E bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU ✓ Hoạt động
Micron Technology
MT40A512M8SA-062E MT40A512M8SA-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x8, 3200 | Micron

MT40A512M8SA-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x8, 3200 | Micron

MT40A512M8SA-062E ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số NT5AD512M16C4-JRU MT40A512M8SA-062E
Thương hiệu Nanya Technology Micron Technology
Danh mục DRAM DRAM
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) $83,00 —
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
Tổ chức 512M x 16 512M x 8
Clock Frequency 1600 MHz (3200 Mbps data rate) 1.6 GHz
CAS Latency (CL) 22 at 1600 MHz —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Hộp 96-ball FBGA (PBGA96) 78-FBGA (7.5 x 11 mm), Z10B
Nhiệt độ hoạt động -40 C to +95 C (industrial grade) —
Giao diện CMOS, DDR4 Parallel, 1.2 V pseudo open-drain I/O
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Trạng thái RoHS Green Product (per Nanya product page) —
Kích thước bộ nhớ — 4 Gbit
Tốc độ dữ liệu — 3200 MT/s (DDR4-3200 class)
Access Time — 13.75 ns
Write Cycle Time — 15 ns
VDD / VDDQ — 1.2 V +/-60 mV
VPP Supply — 2.5 V (-125 mV / +250 mV)
VREFDQ — On-die internal adjustable generation
Operating Temperature (TC max) — up to 95 degrees C
Package Flow — :F (lead-free / RoHS)
Kiểu lắp đặt — SMD/SMT

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá