NT5AD512M16C4-JRU vs MT40A512M8SA-062E مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار NT5AD512M16C4-JRU توسط Nanya Technology و MT40A512M8SA-062E توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU ✓ فعال
Micron Technology
MT40A512M8SA-062E MT40A512M8SA-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x8, 3200 | Micron

MT40A512M8SA-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x8, 3200 | Micron

MT40A512M8SA-062E ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر NT5AD512M16C4-JRU MT40A512M8SA-062E
برند Nanya Technology Micron Technology
دسته‌بندی DRAM DRAM
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
قیمت واحد (USD) $83.00 —
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
سازمان 512M x 16 512M x 8
Clock Frequency 1600 MHz (3200 Mbps data rate) 1.6 GHz
CAS Latency (CL) 22 at 1600 MHz —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
بسته‌بندی 96-ball FBGA (PBGA96) 78-FBGA (7.5 x 11 mm), Z10B
دمای کاری -40 C to +95 C (industrial grade) —
رابط CMOS, DDR4 Parallel, 1.2 V pseudo open-drain I/O
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Green Product (per Nanya product page) —
اندازه حافظه — 4 Gbit
نرخ داده — 3200 MT/s (DDR4-3200 class)
Access Time — 13.75 ns
Write Cycle Time — 15 ns
VDD / VDDQ — 1.2 V +/-60 mV
VPP Supply — 2.5 V (-125 mV / +250 mV)
VREFDQ — On-die internal adjustable generation
Operating Temperature (TC max) — up to 95 degrees C
Package Flow — :F (lead-free / RoHS)
سبک نصب — SMD/SMT

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت